| 国家/地区 | 美国(2) |
| IPC部 | H(3) C(2) |
| IPC大类 | H01(3) C01(2) |
| IPC小类 | H01M(3) C01B(2) |
| IPC |
C01B032/23(2)
H01M004/36(2)
H01M004/62(2)
H01M010/0525(2) |
| 发明人 | OGUNI T(2) |
| 公开年 | 2019(2) |
| 申请年 |
2019(3)
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| 专利权人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB(3)
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YONEDA Y, OGUNI T, MIWA T, YAMAKAJI M, TSURUTA A
MIKAMI M, ISHIKAWA J, FUJITA M, NARITA K, NARITA W, ISHIKAWAJUN
