国家/地区 中国（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3）
IPC部 B（2） C（2） H（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） C23（2）
H01（2）
IPC小类 B82Y（2） C01B（2） C23C（2）
H01L（2）
IPC B82Y040/00（2） C01B031/04（2） C23C016/02（2）
发明人 DING G（2） JIANG M（2） TANG S（2）
XIE X（2）
公开年 2012（2）
申请年 2011（3）
专利权人 SHANGHAI INST MICROSYSTEM INFORMATION（3）

Manufacture of graphene nano belt for electric component, involves preparing single atom layer and forming layer on insulating substrate, and directly growing.

CHEN J, DING G, JIANG M, TANG S, WANG C, XIE X

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X

Graphene base FET preparing method, involves utilizing nucleating layer and water as oxidant to be reacted with hafnium source, and generating hafnium oxide grid medium layer on graphene layer.

CHENG X, HE D, WANG Z, XIA C, XU D, YU Y, ZHANG Y