国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3） H（2）
IPC大类 C23（3） C01（2） C30（2）
H01（2）
IPC小类 C23C（3） C01B（2） C30B（2）
H01L（2）
IPC C23C016/02（3） C01B031/04（2） C23C014/06（2）
C23C016/26（2） C23C016/56（2） H01L021/02（2）
发明人 DENG P（2） GUO H（2） LEI T（2）
ZHANG K（2） ZHANG Y（2）
公开年 2012（2）
申请年 2012（2） 
专利权人 UNIV XIDIAN（3）

Method for growing gallium nitride/graphene-based magnetron sputtering aluminum nitride during manufacture of device, involves transferring monolayer graphene on aluminum oxide substrate, sputtering aluminum nitride, and heat-treating.

CHEN Z, HAO Y, ZHANG J, LV J, XU S, NING J, REN Z, WANG D, LIN Z

Structural graphene production on silicon carbide substrate for manufacturing microelectronic devices includes depositing layer of silicon dioxide as mask, coating mask surface, and exposing to form structured pattern.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG Y, ZHANG K, ZHANG F

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y