国家/地区 世界知识产权组织（6）
IPC部 C（5） B（4） H（4）
IPC大类 C01（5） B82（4） H01（4）
C23（3）
IPC小类 C01B（5） B82Y（4） C23C（3）
H01G（3） C01G（2） H01M（2）
IPC B82Y030/00（4） B82Y040/00（3） H01G011/36（3）
H01G011/86（3） C01B031/02（2） C01B031/04（2）
C01B032/15（2） C01B032/152（2） C01B032/158（2）
C01B032/18（2） C01B032/182（2） C01B032/186（2）
C23C016/26（2） H01G011/24（2） H01G011/26（2）
发明人 WANG W（6） GUO S（3） OZKAN C S（3）
OZKAN M（3）
公开年 2015（4）
申请年 2013（3） 
专利权人 WANG W（6）

Method for producing graphene, involves placing substrate in vacuum chamber, and heating graphite to sublimation under vacuum and depositing graphite on substrate after sublimation.

WANG W

Composite nanostructure useful in a filtration membrane e.g. microfiltration membrane for filtering a liquid i.e. water, comprises a graphene oxide shell, and a nanoparticle i.e. titanium dioxide or silver within the shell.

FORTNER J, BISWAS P, JIANG Y, WANG W

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor application, comprises porous metal substrate, graphene layer deposited onto surface of porous metal substrate, carbon nanotubes, and metal oxide nanostructures.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor, consists of paper based substrate having top surface and bottom surface, and graphene oxide and carbon nanotube composite deposited on top surface.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Graphene device structure for use in complementary metal oxide semiconductor device, has semiconductor doped region and graphene layer that are formed as drain region and source region of device structure respectively.

LIANG Q, JIN Z, WANG W, ZHONG H, LIU X, ZHU H, YE T