国家/地区 美国（3） 韩国（2）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2）
IPC C01B031/02（2） H01L021/02（2） H01L029/16（2）
发明人 WOO Y（3） CHUNG H（2） HEO J S（2）
LEE D W（2） SHIN H（2） SHIN H J（2）
WOO Y S（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（2） 
专利权人 WOO Y（3）

Manufacture of graphene for fabricating electronic device and display device, involves forming silicon carbide thin film on substrate, forming metal thin film on silicon carbide thin film, and heating to obtain metal composite layer.

LEE D W, SHIN H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, WOO Y, LEE J, CHUNG H, HEO J, SHIN H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, WOO Y S, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S

Fabricating single-layer graphene on silicon carbide wafer used as channels of field-effect transistor array, comprises disposing graphene layers on carbon buffer layer of wafer, and converting buffer layer to single-layer graphene.

WOO Y, YOON S, SHIN H, LEE D, CHOI J, WOO Y S, YOON S M, SHIN H J, LEE D W, CHOI J Y

Graphene device, preferably inverter, includes upper oxide layer on embedded gates, and graphene channel and electrodes on upper oxide layer.

HEO J S, SEO S, KIM D, WOO Y, CHUNG H