国家/地区 欧洲专利局（EPO）（3）
IPC部 H（3） B（2）
IPC大类 H01（3） B82（2）
IPC小类 H01L（3） B82Y（2）
IPC H01L021/02（3） B82Y040/00（2） H01L021/205（2）
H01L021/36（2） H01L029/06（2） H01L033/00（2）
H01L033/02（2） H01L033/12（2）
发明人 AN S（3）
公开年 2012（2）
申请年 2011（2） 
专利权人 AN S（2） KIM S（2） KUMOH NAT IN.（2） LEE D（2）
LG SILTRON I.（2） SK SILTRON C.（2）

Method of forming graphene on substrate, involves treating surface of substrate placed in reaction chamber with plasma, and growing graphene on surface of substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

SHIN K, KIM C, YAMAMOTO K, LEE C, SONG H, LEE E, BYUN K, SHIN H, AN S, SHEN J, JIN C, SHAN B, LI C, SONG X, LI Y, BIAN Q, SHEN X, AN X, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, BYUN K E, SHIN H J, AHN S J

Compound semiconductor manufacturing method, involves forming graphene-derived material layer on selected substrate, and connecting compound semiconductor layer to graphene-derived material layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, AN S, LEE D, KIM S

Compound semiconductor device for light emitting device i.e. LED, has oxidation graphene layer provided with oxidation graphene sheets on part of surface of substrate, and buffer layer arranged between substrate and semiconductor layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, LEE D K, AN S, LEE D, KIM S