国家/地区 美国（3） 中国（2） 德国（2） 台湾（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（3） H（3）
IPC大类 H01（3） B82（2）
IPC小类 H01L（3） B82Y（2）
IPC H01L021/04（2） H01L021/336（2） H01L029/16（2）
H01L029/78（2）
发明人 AVOURIS P（3）
公开年
申请年 2011（3）
专利权人 INT BUSINESS.（3）

Electromagnetic device i.e. terahertz emission device, for use in e.g. laser for medical imaging applications, has metallization layer forming electrodes such that terahertz frequency radiation is generated when graphene is excited.

AVOURIS P, SUNG C, VALDES G A, XIA F

Semiconductor structure of semiconductor device e.g. MOSFET used in electronic device e.g. personal computer, has nitride layer which is formed on graphene layer between source electrode and drain electrode.

AVOURIS P, NEUMAYER D, ZHU W, NEUMAYER D A

Semiconductor device has complementary metal oxide semiconductor device layer that is in contact with source and drain, and gate are that connected to graphene channel respectively.

CHEN K, LIN Y, AVOURIS P, FARMER D B, FARMER D, CHEN K N, LIN Y M, KUANNENG C, YUMING L