国家/地区 中国（3） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（3） B（2）
IPC大类 C01（3） B82（2） C23（2）
IPC小类 C01B（3） B82Y（2） C23C（2）
IPC C01B031/04（3） B82Y040/00（2） C23C016/02（2）
发明人 DING G（3）
公开年 2012（3）
申请年 2011（3）
专利权人 CHINESE ACAD.（2） SHANGHAI INS.（2）

Manufacture of graphene nano belt for electric component, involves preparing single atom layer and forming layer on insulating substrate, and directly growing.

CHEN J, DING G, JIANG M, TANG S, WANG C, XIE X

Method for gradually thinning graphene to obtain graphene nano structure, involves removing top layer of multilayer graphene by anisotropy oxidation process, annealing and processing multi-plasma treatment and high temperature annealing.

DING G, JIANG M, XIE X, YANG X

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X