国家/地区 英国（2）
IPC部 C（3） B（2） H（2）
IPC大类 C01（3） B82（2） H01（2）
IPC小类 C01B（3） B82Y（2） H01L（2）
IPC C01B031/04（3） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
H01L021/02（2）
发明人 DONG G（3）
公开年 2013（2）
申请年 2012（3）
专利权人 RIJKSUNIV LE.（2）

Preparation of single-layered graphene/hexagonal boron nitride composite film involves forming metal thin film by heating carbon, and vapor-depositing hexagonal boron nitride monolayer on metal surface.

DONG G

Forming graphene film (on surface of substrate) used in e.g. lasers, comprises locating carbon source at or in vicinity of surface, controlling ambient conditions, applying temporary change of condition at localized site and controlling.

DONG G

Forming graphene film on copper-containing substrate surface involves heating and exposing substrate to carbon-containing precursor gas and cooling to segregate dissolved carbon atom and selecting substrate to control graphene film depth.

DONG G, RIJN R V