国家/地区 中国（3）
IPC部 H（3） B（2）
IPC大类 H01（3） B82（2）
IPC小类 H01L（3） B82Y（2）
IPC H01L021/336（3） H01L029/16（3） H01L029/66（3）
H01L029/78（3） H01L029/786（3） B82Y040/00（2）
H01L021/02（2） H01L021/20（2） H01L029/775（2）
发明人 FARMER D B（3）
公开年
申请年 2012（2） 
专利权人 INT BUSINESS.（3）

Fabrication method of semiconducting device such as transistor, involves forming graphene sheet, source and drain on sheet, and slot in graphene sheet, and applying etchant to substrate through slot formed in graphene.

FARMER D B, FRANKLIN A D, SMITH J T

Semiconductor structure for semiconductor device, has substrate, graphene layer and double layer gate dielectric having alternate lamination of silicon nitride layer and hafnium oxide layer.

DIMITRAKOPOULOS C D, FARMER D B, GRILL A, LIN Y, NEUMAYER D A, PFEIFFER D, ZHU W, DIMITRAKOPOULOS C

Semiconductor device has complementary metal oxide semiconductor device layer that is in contact with source and drain, and gate are that connected to graphene channel respectively.

CHEN K, LIN Y, AVOURIS P, FARMER D B, FARMER D, CHEN K N, LIN Y M, KUANNENG C, YUMING L