国家/地区 美国（3） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 B82（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2） H01L（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） B82Y099/00（2）
H01L029/16（2）
发明人 HAN S（3）
公开年 2013（2）
申请年 2011（3）
专利权人 INT BUSINESS.（3）

Producing graphene nanomesh based charge sensor, by generating holes in graphene to create graphene nanomesh, passivating edge of each hole of mesh, functionalizing passivated edge of each of holes of nanomesh with chemical compound.

AFZALIARDAKANI A, HAN S, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, NISTOR R, TSAI H

Plate varactor for integrated circuit used as part of electronic product has single layer of graphene material disposed over first electrode in contact with dielectric layer to contribute quantum capacitance component to dielectric layer.

CHEN Z, HAN S, KOSWATTA S O, VALDES G A

Graphene based tunable band gap bi-bond layered electronic device e.g. N-type FET, for fabricating integrated circuit, has local gates formed as pair to locally control portion of bilayer graphene layer.

CHEN Z, FRANKLIN A D, HAN S