国家/地区 美国（3）
IPC部 H（3）
IPC大类 H01（3）
IPC小类 H01L（3）
IPC H01L021/336（2） H01L021/84（2） H01L029/16（2）
H01L029/49（2） H01L029/66（2） H01L029/786（2）
发明人 HAN S（3）
公开年 2012（3）
申请年 2012（2） 
专利权人 INT BUSINESS.（3）

Fabrication method for forming sensor e.g. graphene biosensor involves forming sensor having first dielectric layer disposed on substrate, graphene layer disposed on first dielectric layer and gate region disposed on sacrificial layer.

GUO D, HAN S, LIN C, SU N

Method of forming three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) structure used in semiconductor industry, involves forming gate dielectric layer and gate electrode layer over patterned graphene layer.

GUO D, HAN S, LIN C, SU N, HEN S

Graphene based tunable band gap bi-bond layered electronic device e.g. N-type FET, for fabricating integrated circuit, has local gates formed as pair to locally control portion of bilayer graphene layer.

CHEN Z, FRANKLIN A D, HAN S