国家/地区 日本（3） 韩国（3） 台湾（3） 美国（2）
IPC部 H（3）
IPC大类 H01（3）
IPC小类 H01L（3）
IPC H01L021/28（3） H01L021/3205（3） H01L021/768（3）
H01L023/52（3） H01L023/532（3） H01L021/285（2）
H01L029/15（2）
发明人 KAJITA A（3）
公开年 2012（3）
申请年 2011（2） 
专利权人 TOSHIBA KK（3）

Graphene interconnection for use in interconnection layer of large scale integration device, has graphene layer formed on catalyst film in interconnection trench and provided with graphene sheets.

SAITO T, WADA M, KAJITA A, SAKATA A

Graphene interconnection of large scale integration (LSI) device, has graphene sheets which are stacked in direction perpendicular to side surfaces of interconnection trench.

SAITO T, WADA M, KAJITA A

Semiconductor device has graphene layer with several graphenes which are laminated vertically.

WADA M, YAMAZAKI Y, KAJITA A, SAKATA A