国家/地区 美国（4） 世界知识产权组织（3） 韩国（2）
IPC部 B（4） C（4） H（3）
IPC大类 B82（4） C01（4） H01（3）
C23（2）
IPC小类 B82Y（4） C01B（4） B82B（3）
H01L（3）
IPC C01B031/04（4） B82B003/00（3） B82Y030/00（3）
B82Y040/00（3） C01B031/02（3） H01L021/02（2）
H01L021/311（2）
发明人 KIM M（4）
公开年 2013（2）
申请年 2012（2） 
专利权人 WISCONSIN ALUMNI RES FOUND（4）

Fabrication of graphene nanoribbon array for fabrication of e.g. field-effect transistor device, involves forming graphoepitaxy channel on graphene substrate, and forming layer of surface-modifying copolymer on channel.

ARNOLD M S, GOPALAN P, SAFRON N S, KIM M, CHOI J W

Fabricating graphene structures, comprises fabricating a crystalline graphene layer on a surface, and subsequently decreasing crystallographic disorder of crystallographically disordered edges by heating crystalline graphene layer.

ARNOLD M S, GOPALAN P, SAFRON N S, KIM M, UNG K M

Growing patterned single-crystalline graphene comprises depositing a graphene growth barrier that defines a pattern on a substrate surface, and growing graphene on the substrate surface, around the graphene growth barrier.

ARNOLD M S, GOPALAN P, SAFRON N S, KIM M

Forming a nano-perforated graphene material, comprises forming an etch mask defining an array of holes over a graphene material and patterning the array of holes into the graphene material.

ARNOLD M, GOPALAN P, SAFRON N S, KIM M, ARNOLD M S