国家/地区 韩国（6） 美国（3） 日本（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（5） H（4） B（2）
IPC大类 C08（4） H01（4） C01（3）
B01（2） C09（2） H05（2）
IPC小类 C08K（4） C01B（3） H01B（3）
B01J（2） C08J（2） C08L（2）
C09D（2） H05K（2）
IPC C01B031/02（3） C08K003/04（3） B01J019/10（2）
C08J005/24（2） C08K003/20（2） C08L079/08（2）
C08L101/12（2） C09D179/08（2） H01B003/00（2）
H01B003/18（2） H05K001/03（2）
发明人 KIM S H（6）
公开年 2013（6）
申请年 2012（4） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Insulating composition, useful in an insulating prepreg or an insulating film of a substrate, comprises a soluble liquid crystal thermosetting oligomer, a metal alkoxide, a graphene oxide, and a short fiber.

JI S Y, KIM S H, HAM S J, SOO Y J, SEUNG H K, SUK J H

Preparing graphene oxide that is useful in e.g. transistor, comprises e.g. diluting washed graphite oxide with excess of deionized water and then filtrating using filter, and vacuum drying filtered graphite oxide and heating.

PARK H, KIM S H

Manufacture of graphene oxide reduced material for forming electrode for silicon-based semiconductor, involves synthesizing graphite oxide flakes from graphite flakes and forming graphene oxide dispersion solution.

JEONG S, LEE G, HAN J, JEONG H, KIM S, HAN J T, JEONG H J, JEONG S Y, KIM S H, LEE G W

Insulating layer composition for use in substrate of insulating prepreg or insulating film and printed circuit board, comprises soluble type liquid crystal thermosetting oligomer, metal alkoxide compound, and graphene oxide.

JI S Y, HAM S J, KIM S H, KIM D Y, YEONG J S, JIN H S, HWAN K S, YEONG K D, CHI S, KIM S, KIM D, HAM S, CHI S Y, HAMSUKJIN

Production of conductive polymer filler involves producing CNT-exfoliated-graphene by refluxing graphene and carbon nanotube and irradiating solar light, and microcapsulizing CNT-exfoliated-graphene to thermoplastic resin layer.

KIM S H

Method for manufacturing compound semiconductor device, involves forming lower graphene layer between substrate and lower compound semiconductor layer.

AN S J, LEE D K, KIM S H