国家/地区 韩国（3） 美国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2） H01L（2）
IPC C01B031/02（2）
发明人 KIM S W（3）
公开年 2014（3）
申请年 2014（3）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Thermoelectric structure for forming thermoelectric device for thermoelectric apparatus, comprises graphene layer, and thermoelectric component comprising thermoelectric film and quantum dot on thermoelectric film, on graphene layer.

LEE K, KIM S, HWANG S, LEE S, LEE Y, HWANG S W, KIM S I, KIM S W, LEE K H, LEE S M, LEE Y H

Insulating sheet for electrical device, has hexagonal boron nitride sheet which is arranged on graphene sheet.

KIM S, LEE K, KIM S W, LEE K H

Manufacture of graphene oxide thin film involves manufacturing oxidized graphite target, forming target on substrate by depositing graphene oxide thin film by radiofrequency magnetron sputtering method.

HONG H S, UK K S, NGUYEN T K, HAHN S H, KIM S W