国家/地区 日本（3）
IPC部 H（3） B（2） C（2）
IPC大类 H01（3） B82（2） C01（2）
IPC小类 H01L（3） B82Y（2） C01B（2）
IPC C01B031/02（2） H01L021/3205（2） H01L021/768（2）
H01L023/532（2）
发明人 KONDO T（3）
公开年
申请年
专利权人 FUJITSU LTD（3）

Photo detection element of optical sensor used in imaging device, has infrared light-receiving layer that includes graphene layers and spacer layers that are alternately stacked, where infrared light passes through spacer layers.

SATO S, NISHINO H, KONDO D, HAYASHI K, KONDO T

Manufacturing method of graphene film, involves removing catalyst metal film in oxidation atmosphere of oxidizer and transferring graphene film to substrate.

KONDO D, NAKANO H, KONDO T, NAKANO M

Wiring structure used for semiconductor device e.g. large scale integration, comprises carbon nanotubes and graphene, which are connected electrically through metal block.

SATO S, KONDO D, SATO M, NIHEI M, KONDO T