国家/地区 欧洲专利局（EPO）（3）
IPC部 H（3） B（2）
IPC大类 H01（3） B82（2）
IPC小类 B82Y（2） H01L（2）
IPC B82Y040/00（2） H01L021/02（2） H01L021/36（2）
H01L029/06（2） H01L033/00（2） H01L033/02（2）
H01L033/12（2）
发明人 LEE D G（3）
公开年 2012（2）
申请年 2011（2） 
专利权人 KUMOH NAT IN.（3） AN S（2） KIM S（2） LEE D（2）
LG SILTRON I.（2） SK SILTRON C.（2）

Electron-emissive element, has graphene emitter adhered on emitter supporting unit and metal mesh, insulating layer provided with gate electrode, and gate supporting unit supported with graphene gate.

PARK S, LEE D, KIM I, SUNG J, LEE C, KANG D, YU E, PARK S H, LEE D G, KIM I H, SUNG J K, LEE C S, KANG D S, YU E A

Compound semiconductor manufacturing method, involves forming graphene-derived material layer on selected substrate, and connecting compound semiconductor layer to graphene-derived material layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, AN S, LEE D, KIM S

Compound semiconductor device for light emitting device i.e. LED, has oxidation graphene layer provided with oxidation graphene sheets on part of surface of substrate, and buffer layer arranged between substrate and semiconductor layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, LEE D K, AN S, LEE D, KIM S