国家/地区 韩国（4） 美国（3）
IPC部 C（4） H（3） B（2）
IPC大类 C01（3） H01（3）
IPC小类 C01B（3） H01L（3）
IPC H01L029/16（3） C01B031/02（2） C01B031/04（2）
H01L021/02（2）
发明人 LEE D W（4）
公开年 2014（4）
申请年 2013（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3） SHIN H（2） WOO Y（2）

Graphene device used for electronic apparatus e.g. semiconductor device, consists of active layer, graphene layer, and electrode spaced apart from graphene layer and controls work function of graphene layer based on applied voltage.

SHIN H, BYUN K, SONG H, PARK S, SEO D, WOO Y, LEE D, LEE J, CHUNG H, HEO J, YOO I, SHIN H J, BYUN K E, SONG H J, PARK S J, WOO Y S, LEE D W, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S, YOO I K, JIN S H, EUN B G, JAE S H, JUN P S, SEOK S H, SEONG W Y, GYEONG Y I, UK L D, HO L J, JONG J H, SEONG H J, HUI D, HUH J, YEO R, JUNG H

Metal powder coated with multilayer graphene and/or nano graphite layer on its surface.

YONG S K, LEE D W, KIM J S, JEON J N, CHOI H R

Manufacture of graphene for fabricating electronic device and display device, involves forming silicon carbide thin film on substrate, forming metal thin film on silicon carbide thin film, and heating to obtain metal composite layer.

LEE D W, SHIN H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, WOO Y, LEE J, CHUNG H, HEO J, SHIN H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, WOO Y S, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S

Fabricating single-layer graphene on silicon carbide wafer used as channels of field-effect transistor array, comprises disposing graphene layers on carbon buffer layer of wafer, and converting buffer layer to single-layer graphene.

WOO Y, YOON S, SHIN H, LEE D, CHOI J, WOO Y S, YOON S M, SHIN H J, LEE D W, CHOI J Y