国家/地区 韩国（3）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2） C23（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2） C23C（2）
IPC C01B031/02（2） C23C016/26（2） H01L021/027（2）
发明人 LEE Y K（3）
公开年 2012（3）
申请年 2011（2） 
专利权人 KOREA RES IN.（3）

Method for forming graphene pattern using exfoliation technique, involves selectively peeling graphene layer by polymer stamp, and forming raised pattern on rotator polymer stamp, where polymer stamp is made of polydimethylsiloxane.

AN K, CHUNG T, JUNG D, KIM C G, KIM H S, LEE S S, LEE Y K, AN K S, CHUNG T M, LEE S, LI Y, KIM C, KIM H

Manufacture of graphene used for e.g. graphene conducting wire, for semiconductor device e.g. memory, involves controlling electrical characteristics by doping nitrogen to graphene.

LEE S S, JUNG M W, PARK B K, JEONG S J, LEE Y K, CHUNG T M, KIM C G, AN K S, SHIN Y S, JUNG D

Manufacturing method of patterned graphene used in graphene-based device, involves forming metal catalytic layer on substrate, and growing graphene layer on portion in which metal catalytic layer is not formed.

LEE S S, JUNG D S, AN K S, PARK B K, LEE Y K, KIM C G, CHUNG T M, SHIN Y S, JEONG S J