国家/地区 台湾（3） 美国（3） 中国（2） 英国（2） 日本（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 B01（2） H01（2）
IPC小类 B01J（2） H01L（2）
IPC B01J021/06（2） B01J021/18（2） H01L021/28（2）
H01L021/336（2） H01L029/16（2） H01L029/423（2）
H01L029/78（2） H01L029/786（2）
发明人 LIN Y（4）
公开年 2012（3）
申请年 2010（4）
专利权人 INT BUSINESS.（2） TAIWAN TEXTI.（2）

Preparing graphene/nano titanium dioxide composite, comprises dispersing nano titanium dioxide and graphene in water/alcohol solution, and reacting nano titanium dioxide and graphene in dispersion solution to obtain product.

LIN Y, LI X, LIN R, ZENG S

Preparing graphene/nano-titanium dioxide composites, comprises dispersing nano-titanium dioxides and graphenes in water/ethanol solution and allowing nano-titanium dioxides and graphenes within dispersion to react at specified conditions.

LIN Y, TSENG S, LIN J, LEE S, LIN R J, LI X Y, LIN Y J, ZENG S M, TSENG S M, LEE S Y

Graphene-based field effect transistor for high-frequency electronics, comprises graphene layer located on insulating layer, first and second metal portions, first and second electrodes, gate dielectric layer, and dielectric seed layer.

AVOURIS P, FARMER D B, LIN Y, ZHU Y, LIN Y M

Graphene FET comprises a gate stack including a seed layer, a gate oxide formed over the seed layer and a gate metal formed over the gate oxide, an insulating layer, a graphene sheet, a spacer, and a source contact and a drain contact.

LIN Y, JENKINS K A, VALDES GARCIA A, VALDESGARCIA A, GARCIA A V, VALDES G A, LIN Y M