国家/地区 美国（3） 中国（2） 德国（2） 英国（2） 日本（2） 台湾（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（3）
IPC大类 H01（3）
IPC小类 H01L（3）
IPC H01L021/04（3） H01L029/16（3） H01L021/28（2）
H01L021/336（2） H01L029/78（2） H01L029/786（2）
H01L051/05（2） H01L051/30（2）
发明人 LIN Y（3）
公开年 2011（3）
申请年
专利权人 INT BUSINESS.（3） IBM UK LTD（2）

Semiconductor device has complementary metal oxide semiconductor device layer that is in contact with source and drain, and gate are that connected to graphene channel respectively.

CHEN K, LIN Y, AVOURIS P, FARMER D B, FARMER D, CHEN K N, LIN Y M, KUANNENG C, YUMING L

Graphene FET comprises a gate stack including a seed layer, a gate oxide formed over the seed layer and a gate metal formed over the gate oxide, an insulating layer, a graphene sheet, a spacer, and a source contact and a drain contact.

LIN Y, JENKINS K A, VALDES GARCIA A, VALDESGARCIA A, GARCIA A V, VALDES G A, LIN Y M

Method for forming tunable bandgap in graphene-based switching device, involves creating bandgap in bi-layer graphene by reducing interlayer spacing between bi-layer graphene.

LIN Y, YAU J