国家/地区 中国（4）
IPC部 B（3） H（3）
IPC大类 B82（3） H01（3）
IPC小类 B82Y（3） H01L（3）
IPC B82Y040/00（3） H01L021/336（3） H01L029/16（3）
H01L029/78（3） H01L029/786（3） H01L021/04（2）
H01L021/28（2） H01L029/66（2） H01L029/775（2）
H01L051/05（2） H01L051/30（2）
发明人 LIN Y（4）
公开年 2011（2）
申请年
专利权人 INT BUSINESS.（3） IBM UK LTD（2）

Manufacture of graphene platelets involves providing graphite blocks between every two graphene layers, introducing forward airflow and reverse airflow into chamber, and applying shear airflow to graphite block.

LIN Y, TSAI C, LEE T, CAI Q, LI T

Semiconductor structure for semiconductor device, has substrate, graphene layer and double layer gate dielectric having alternate lamination of silicon nitride layer and hafnium oxide layer.

DIMITRAKOPOULOS C D, FARMER D B, GRILL A, LIN Y, NEUMAYER D A, PFEIFFER D, ZHU W, DIMITRAKOPOULOS C

Semiconductor device has complementary metal oxide semiconductor device layer that is in contact with source and drain, and gate are that connected to graphene channel respectively.

CHEN K, LIN Y, AVOURIS P, FARMER D B, FARMER D, CHEN K N, LIN Y M, KUANNENG C, YUMING L

Graphene FET comprises a gate stack including a seed layer, a gate oxide formed over the seed layer and a gate metal formed over the gate oxide, an insulating layer, a graphene sheet, a spacer, and a source contact and a drain contact.

LIN Y, JENKINS K A, VALDES GARCIA A, VALDESGARCIA A, GARCIA A V, VALDES G A, LIN Y M