国家/地区 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L023/00（2） H01L023/373（2） H01L025/00（2）
H01L025/065（2） H01L025/18（2）
发明人 PU H（3）
公开年 2022（3）
申请年 2022（2） 
专利权人 TAIWAN SEMIC.（2）

Manufacturing memory device by forming second dielectric layer over first dielectric layer, where second redistribution patterns and thermally conductive layer are embedded in second dielectric layer.

HSIEH Y, CHIANG Y, KO T, LIU M, PU H, HUANG C

Aging-resistant conductive polypropylene functional material useful in high molecular material technical field for preparing conductive complex material using graphene micro sheet, comprises polypropylene, copper powder, conductive agent, dispersant, compatibilizer and heat stabilizer.

GE X, LI Y, HU G, PU H, FANG M

Memory device has multiple stacked tiers having redistribution structure closest to first semiconductor die comprising thermally conductive layer connected to first semiconductor die, and second semiconductor dies wrapped by encapsulant.

HSIEH Y, CHIANG Y, KO T, LIU M, PU H, HUANG C