国家/地区 日本（2） 美国（2）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2）
IPC H01L021/02（3） H01L021/336（3） H01L029/16（3）
H01L029/786（3） C01B031/02（2） H01L029/66（2）
H01L029/778（2） H01L051/05（2） H01L051/30（2）
H01L051/40（2）
发明人 SATO S（3）
公开年 2015（3）
申请年
专利权人 FUJITSU LTD（3）

Electronic device e.g. tunnel transistor, comprises channel layer comprising graphene(s) with edge portions terminated with modifying groups different from each other bonded to each other, and electrodes formed on channel layer.

SATO S, JIPPO H, OHFUCHI M, OFUCHI M

Semiconductor device manufacturing method, involves forming catalyze membrane on insulator, forming graphene layer with electric conduction film, matching conduction film with insulator, and performing graphene layer thin changing process.

KONDO D, SATO S

Graphene film in which many ribbon-shaped graphenes having a longitudinal edge structure of an arm chair type constitute a network structure used for manufacturing electronic device and top gate top contact thin film transistor.

YAMAGUCHI J, SATO S