国家/地区 韩国（3） 美国（3）
IPC部 H（3） B（2）
IPC大类 H01（3） B82（2）
IPC小类 H01L（3） B82Y（2）
IPC H01L029/78（3） H01L029/786（3） B82Y099/00（2）
H01L021/336（2） H01L029/16（2） H01L029/778（2）
发明人 SEO D（3）
公开年 2013（3）
申请年 2012（3）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

Making graphene semiconductor device/diode used in organic light emitting display, comprises forming transfer substrate on semiconductor layer, forming laminates to separate sacrificial substrate from layer, and removing transfer substrate.

LEE C S, KIM Y B, YUN Y J, KIM Y S, SEO D, LEE J H, KIM Y, LEE J, LEE C

Manufacturing graphene electronic device involves making metal compound layer and catalyst layer on substrate, growing graphene layer on the catalyst layer, and converting the catalyst layer into a portion of the metal compound layer.

LEE C S, KIM S W, PARK S J, SEO D, YUN Y J, LEE Y H, LEE C, PARK S, YUN Y

Graphene switching device with tunable barrier used as diode, triode, or transistor has graphene layer which is formed between semiconductor layer and gate substrate.

HEO J, CHUNG H, SONG H, PARK S, SEO D, YANG H, HEO J S, JEONG H J, SONG H J, PARK S J, DAVID S, YANG H J, CHUNG H J, HUH J, SONG C, SERIO D, JUNG H