国家/地区 日本（3）
IPC部 C（3） H（3）
IPC大类 C01（3） H01（3）
IPC小类 C01B（3） H01L（3）
IPC C01B031/02（3） H01L021/336（3） H01L029/78（3）
H01L021/20（2） H01L021/324（2） H01L029/06（2）
发明人 TATENO Y（3）
公开年 2014（3）
申请年 2013（3）
专利权人 SUMITOMO ELE.（3） UNIV TOHOKU（3）

Substrate for electronic apparatus e.g. electronic device comprises nitride semiconductor layer which is provided on upper surface of silicon substrate, silicon carbide layer, and graphene layer.

SAI J, FUKIDOME H, SUEMITSU M, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, planarizing upper surface of silicon carbide layer, and forming graphene layer in upper surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, heating upper surface of silicon carbide layer using gas, and forming graphene layer on surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y