国家/地区 中国（83） 美国（3） 韩国（2）
IPC部 C（33） H（23） B（18）
G（16） A（15） D（3）
IPC大类 H01（23） C01（12） A61（9）
G01（9） C08（8） B01（7）
G06（6） C23（5） B82（4）
C09（4） A24（3） A47（3）
C02（3） B22（2） B32（2）
IPC小类 H01L（13） C01B（12） C08K（7）
C08L（7） G06F（6） H01M（6）
B01J（5） C23C（5） G01N（5）
A61B（4） B82Y（4） H01B（4）
A24D（3） A61L（3） C02F（3）
IPC C01B031/04（8） C08K003/04（7） G06F003/041（5）
B82Y030/00（4） B82Y040/00（4） G01N027/12（4）
H01M004/38（4） A24D003/06（3） B01J020/30（3）
C01B032/184（3） C09D005/08（3） C09D007/12（3）
H01L031/18（3） H01M004/36（3） H01M004/62（3）
发明人 YANG J（85）
公开年 2015（44） 2016（37） 2017（4）
申请年 2015（85）
专利权人 CHINESE ACAD.（19） UNIV SHANGHA.（9） ZHENGZHOU SY.（8） CHONGQING MO.（6）
WUXI GRAPHEN.（4） BEIJING BOE .（3） BOE TECHNOLO.（3） CHINA TOBACC.（3）
SHENZHEN NEW.（3） UNIV CENT SO.（3） AVIC BEIJING.（2） BEIJING BOE .（2）
CHANGCHUN CE.（2） CHANGXING HO.（2） UNIV JINAN（2） UNIV SOUTHWE.（2）

Heat conducting filling material comprises base, composite film of graphene/carbon nanotube composite material, and ceramic powder.

LIU Y, YANG J, QU Y

Preparation of highly thermally conductive graphite film, involves adding graphene to strongly polar organic solvent, ultrasonically dispersing, adding diamine and dianhydride to graphene dispersion, and stirring.

GAO J, LIU Y, PENG B, JIANG Q, ZHANG B, YANG J

Photovoltaic device in micro-nano device, has graphene layer whose one portion is located in opening of low semiconductor substrate and other portion on insulating layer and electrode is located on insulating layer and graphene layer.

GUO L, YANG J, CHEN X

Method for preparing tantalum capacitor cathode terminal, involves immersing graphene oxide in tantalum core to decompose to obtain uniform single-layer graphene, followed by dipping to finish coated tantalum capacitor cathode material.

HU X, JING T, LIU B, XIONG Y, YANG J, YANG S, YE H

Preparing graphene oxide dopeded with cobalt disulfide involves dissolving graphene oxide in solvent for preparing graphene oxide solution.

AHN S, SHIN H S, YANG J

Graphene micro bolometer, has silicon substrate provided with semiconductor silicon chip, where silicon substrate is formed with air holes, and suspension support layer formed with rectangular blind hole.

YANG J, TANG L, FENG S, WEI X, SHI H, DU C

Preparing graphene/alloy composite powder which involves dispersing oxidized graphene nanosheet in water or alcohol ultrasonically, mixing with nickel alloy powder and drying mixture.

DAI S, JI C, WANG X, XIAO C, YANG J, ZHANG X, ZOU J

Preparation of high temperature nickel alloy powder based alkene, involves adding nickel based alloy powder to graphene oxide solution, washing, drying to obtain composites, vacuum degassing, densifying, and heat treating.

DAI S, JI C, WANG X, YANG J, ZOU J

Flexible graphene nano wall magnetic field detecting device, has flexible substrate whose sides are covered with pressure sensitive layer and magnetic site induction layer, where pressure sensitive layer is equipped with parallel electrode.

DU C, SUN T, SHEN J, SHI H, YANG J, WEI D, YUAN K, YU Y

Stainless steel layer wear-resisting cabinet, has wood substrate whose outer side is connected with stainless steel layer that is fixed with diamond graphene layer, and water retaining layer fixed with sheet-shaped single crystal structure.

GUO L, LIU Y, SHAO J, WU Y, YANG J, ZHAO Q, ZHANG J