国家/地区 台湾（3）
IPC部 B（2） C（2） H（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2） C01B（2） H01L（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B032/182（2）
H01L021/02（2） H01L021/04（2） H01L021/335（2）
H01L021/78（2） H01L029/06（2） H01L029/16（2）
H01L029/417（2） H01L029/423（2） H01L029/66（2）
H01L029/76（2） H01L029/772（2） H01L029/786（2）
发明人 ZHANG T（3）
公开年 2022（3）
申请年 2021（3）
专利权人 HON HAI PREC.（3） UNIV TSINGHU.（3）

Making field effect transistor by forming source and drain electrodes on respective first and second ends of graphene nanoribbons, forming insulating layer on nanoribbons, and forming gate on surface of insulating layer away from substrate.

FAN S, LI Q, JIN Y, ZHANG L, ZHANG T

Method for preparing FET e.g. junction FET, involves providing interdigital electrode on graphene nanoribbon composite structure, where electrode covers set of protrusions and is electrically connected to set of graphene nano-ribbons.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S

Preparing graphene nanoribbon composite structure, comprises e.g. providing substrate comprising protrusions arranged at intervals, growing graphene film on growth substrate, and setting adhesive layer on surface of graphene film.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S