国家/地区 中国（2） 韩国（2） 台湾（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C23（3）
IPC小类 C23C（3） C01B（2） H01L（2）
IPC C23C016/04（3）
发明人 NARKEVICIUTE I（2） SHARMA K（2） VARADARAJAN B N（2）
公开年 2021（3）
申请年 2021（3）
专利权人 LAM RES CORP（2）

Selective deposition on dielectric layer comprises providing semiconductor substrate, selectively depositing graphene on exposed metal surface of metal layer of substrate, and selective depositing dielectrically-deposited material on layer.

NARKEVICIUTE I, VARADARAJAN B N, SHARMA K, NARKEBICHUDDER I

Reactor assembly comprises gas inlet, gas outlets, reactor chamber, porous frits having porosity and comprising nanoporous carbon material, reactor head space, reactor assembly lamps, and computer processing unit.

NAGEL C J, BRODEUR C L

Encapsulating graphene in semiconductor substrate, comprises selectively depositing graphene on metal layer, depositing metal oxide over graphene by thermal-based deposition technique, and depositing hermetic barrier over metal oxide.

VARADARAJAN B N, NARKEVICIUTE I, SHARMA K