国家/地区 美国（4） 中国（3） 台湾（3）
IPC部 B（4）
IPC大类 B82（4） B32（3） C01（2）
H01（2）
IPC小类 B82Y（4） B32B（3） C01B（2）
IPC B82Y040/00（2） B82Y099/00（2） C01B031/04（2）
发明人 SUNG C（4） SONG J（3） LIN Y（2）
公开年 2012（2） 2013（2）
申请年 2012（4）
专利权人 SUNG C（4）

Method for synthesizing e.g. graphene film using chemical vapor deposition-type furnace for electronics application, involves positioning two support fixtures in reaction chamber, and unloading substrate from support fixtures.

LI X, LIN Y, SUNG C

Fabricating patterned graphene, comprises forming catalytic layer on substrate and carbon layer of e.g. iron on catalytic layer, photolithographically etching on carbon layer and heating obtained layer to form patterned graphene layer.

SUNG C, LIN I, LIN H, LIN Y, SONG J

Method for fabricating transparent electrode of e.g. LED, involves applying carbon source to carbon-soluble layer to form set of graphene layers on soluble layer, where thickness of graphene layers is controlled by soluble layer.

SUNG C, SONG J, SUNG C M

Making graphene on diamond substrate, comprises applying metal layer to crystallographic face of diamond substrate, and heating diamond substrate under vacuum to convert portion of diamond substrate at crystallographic face into graphene.

SUNG C, SONG J