国家/地区 世界知识产权组织（33）
IPC部 B（33）
IPC大类 C01（33） B82（29） H01（23）
B01（10） C08（8） C23（8）
B32（7） C07（6） B05（5）
C09（5） B29（2） B41（2）
B44（2） C03（2） C30（2）
IPC小类 C01B（33） B82Y（25） H01B（13）
B82B（12） H01L（9） B01J（8）
C23C（8） B32B（7） C08K（6）
H01G（6） H01M（6） B05D（5）
C07C（4） C09K（4） B01D（3）
IPC C01B031/02（33）
发明人 WANG Y（6） ZHOU M（5） KIM H K（3）
AHN J（2） BAE S（2） BAE S K（2）
GANG B S（2） GEUN K H（2） HONG B H（2）
HUI H B（2） HYEON A J（2） JEON J H（2）
KIM H（2） KIM J（2） KIM J E（2）
公开年 2011（21） 2012（7） 2010（5）
申请年 2010（33）
专利权人 HAIYANGWANG .（5） OCEAN S KING.（5） OCEANS KING .（5） UNIV SUNGKYU.（3）
WANG Y（3） ZHOU M（3） AHN J（2） BAE S（2）
GRAPHENE SQU.（2） HONG B H（2） JAPAN SCI TE.（2） KIM H K（2）
SUH K S（2） UNIV CHONNAM.（2） UNIV RICE WI.（2） UNIV RICE WI.（2）

Preparation of platinum-ruthenium nanoalloy/graphene catalyst for proton exchange membrane fuel cell, involves supporting platinum-ruthenium nanoalloy on graphene, filtering obtained platinum-supported graphene, cleaning and drying.

ZHOU M, ZHONG L, WANG Y

Preparation of platinum-graphene catalyst for proton exchange membrane fuel cell, involves dripping graphene oxide solution in reverse micelle system containing aqueous solution of chloroplatinic acid, and supporting platinum on graphene.

ZHOU M, ZHONG L, WANG Y

Ramified graphene-carbon nanotube composite material comprises ramified graphene and carbon nanotube forming communicate network structure through intermixing and interveining.

ZHOU M, WU F, WANG Y

Fluorinated graphene oxide has specified fluorine content and carbon content.

ZHOU M, LIU D, WANG Y

Preparing porous graphene film, which is used e.g. in electronic device, comprises mixing graphene oxide and solvent to form mixture, applying the mixture to surface of substrate, and cooling the surface of substrate to form water droplets.

CHEN X, YIN S, BOEY Y C, MA J

Lithium salt-graphene-containing composite material has microstructure comprising carbon nanoparticles, lithium salt nanocrystals and graphene.

ZHOU M, PAN J, WANG Y

Manufacture of semiconductor device e.g. field effect transistor used in mobile telephone base station, involves forming catalyst film on substrate, growing graphene on catalyst layer, forming gap and removing catalyst film.

HAYASHI K, SATO S

Composition, useful in e.g. high speed transistors, electronic devices, sensors, solar cells, optoelectronic devices, logic devices, ultra capacitors, and actuators, comprises unaffixed graphene particulates.

BERRY V, MOHANTY N, MOORE D S

Electrostatic production of graphene from graphite by initial charging of graphite crystal to several million volts.

KOGAN A Y

Reducing agent used for manufacturing reduced graphene oxide for, e.g. semiconductors, comprises reducing agent with halogen element, preferably hydrogen iodide, and acid, with acidity of acid being weaker than that of reducing agent.

LEE H Y, LEE J H, MOON I K