国家/地区 韩国（5） 中国（3） 欧洲专利局（EPO）（3） 日本（3） 台湾（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3）
IPC部 B（5）
IPC大类 C01（5）
IPC小类 C01B（5）
IPC C01B031/04（5） B01J019/24（2） B82B003/00（2）
B82Y040/00（2） C01B031/02（2） C01B032/182（2）
C01B032/184（2） C23C016/18（2） H01B001/04（2）
H01B013/00（2） H01M004/62（2）
发明人 LEE J（5）
公开年 2015（3） 2014（2）
申请年 2014（5）
专利权人 HANWHA CHEM .（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Production of graphene involves applying physical force to liquid dispersion of dispersing agent containing polyaromatic hydrocarbon oxide, and carbon-based material comprising graphite, and forming graphite into nano graphene flakes.

SOHN K N, YOO K H, KWON W J, LEE K S, YANG S B, KIM I Y, LEE M J, LEE J Y, SOHN K, YOO K, KWON W, LEE K, YANG S, KIM I, LEE M, LEE J, LI M, LI J

Modification of graphene involves obtaining graphene having desired crystal size by repeating graphene modification process several times with subcritical or supercritical carbon dioxide.

DO S H, LEE J S, JEON S Y, KONG J H, DO SEUNG H, DO S, LEE J, JEON S, KONG J

Graphene comprises oxygen atom content in predetermined range, and has carbon/oxygen weight ratio of predetermined range.

LEE J S, DO S H, JEON S Y, KONG J H, DO SEUNG H, LEE J, DO S, JEON S, KONG J

Graphene pattern formation method involves forming DNA pattern, and forming graphene pattern on DNA pattern.

JEONG S, LEE J, PARK I K, PARK J H, PARK S, ROH Y, YEON S

Patterning a graphene in the manufacturing of semiconductor chip, by forming a DNA pattern and forming graphene on pattern, where pattern is formed by forming metal ion pattern on a substrate and adsorbing a DNA structure on ion pattern.

JEONG S, LEE J, PARK I K, PARK J H, PARK S, ROH Y, YEON S