国家/地区 中国（3） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C23（3）
IPC小类 C23C（3） C30B（3） B82Y（2）
C01B（2） H01L（2）
IPC C23C016/02（3）
发明人 LEI T（2） ZHANG Y（2）
公开年 2012（3）
申请年 2011（2） 
专利权人 UNIV XIDIAN（2）

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y

Method for epitaxially growing graphene on silicon carbide wafer involves processing silicon carbide wafer with hydrogen and silane to remove oxide produced on wafer surface, and supplying argon.

LEI T, WANG D, TANG X, LEI J, WANG Y, ZHANG Y, WANG H

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X