国家/地区 中国（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C23（3） C01（2） H01（2）
IPC小类 C23C（3） C01B（2） H01L（2）
IPC C23C016/34（3）
发明人
公开年
申请年 2011（3）
专利权人

Manufacturing graphene co-extruded film, comprises forming hexagonal boron nitride layer in upper side of substrate, forming metal catalytic layer, forming top graphene layer, and removing metal catalytic layer and top graphene layer.

KIM H K, YANG W S, GEUN K H, SEOK Y U

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X

Method for preparing graphene FET, involves generating photoconduction effect in radiation of infrared ray by graphene channel layer.

ZHOU P, ZHANG W, WU D, SUN Q