国家/地区 欧洲专利局（EPO）（3） 法国（3） 美国（3） 日本（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y030/00（3） B82Y040/00（3） C01B031/04（3）
B81C001/00（2） C01B031/02（2） C01B032/184（2）
C23C016/26（2） C23C016/56（2） H01L021/02（2）
发明人 ZENASNI A（3）
公开年
申请年 2011（2） 
专利权人 COMMISSARIAT.（3） COMMISSARIAT.（2）

Synthesizing graphene sheet on platinum silicide, by forming stack by e.g. placing first layer of diffusion barrier material on substrate and placing second layer of silicon carbonaceous material on first layer and thermally treating stack.

ZENASNI A

Fabricating structure comprising graphene sheet equipped with metal pads, comprises synthesizing graphene sheet on many metal pads that are laid on membrane of dielectric material, and optionally eliminating the membrane.

ZENASNI A, CORAUX J, IVANOVAHRISTOVA V, LANDIS S, PERNEL C

Process for elaboration of graphene, useful e.g. in nanoelectronics, comprises depositing layer comprising amorphous carbon on substrate and annealing layer by photonic- and/or electronic-irradiation to obtain layer comprising graphene.

ZENASNI A, AJIJEU J