国家/地区 中国（3） 日本（3） 韩国（3） 美国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y030/00（3） B82Y040/00（3） C01B031/02（3）
C01B031/04（2） C23C016/26（2）
发明人 HEO J S（3）
公开年 2011（3）
申请年 2010（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S

Method of transferring larger-sized graphene used in electric circuit, involves removing adhesive and protection layers from graphene layer respectively.

BAE S, CHUNG H, HEO J, JUNG M, KANG S, SEO D, SEO S, WOO Y, BAE S K, CHUNG H J, HEO J S, JUNG M H, KANG S R, SEO S A, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, HUH J, JUNG H

Fabricating graphene to fabricate FET, comprises forming alloy catalyst layer on substrate using sputtering method and/or evaporation method, and forming graphene layer on alloy catalyst layer by supplying hydrocarbon gas onto substrate.

WOO Y, SEO D, SEO S, CHUNG H, KANG S, HEO J, SEO S A, CHUNG H J, KANG S R, HEO J S, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, XU D, HUH J, JUNG H