国家/地区 中国（4） 日本（2） 台湾（2） 美国（2）
IPC部 C（4）
IPC大类 C30（4）
IPC小类 C30B（4）
IPC H01L021/205（4）
发明人 CHAI Z（2） FAN F Y（2） FAN S（2）
GI Y（2） HAN D（2） HAO Y（2）
NING J（2） WANG D（2） WEI Y（2）
YAN Y（2） ZHANG J（2）
公开年 2013（4）
申请年 2012（4）
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2） UNIV XIDIAN（2）

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Gallium nitride-based substrate, epitaxial graphene direct chemical vapor deposition growth comprises using III-V group compound semiconductor gallium nitride as substrate, pre-processing, and directly growing graphene.

CHAI Z, ZHANG J, HAN D, HAO Y, YAN Y, NING J, WANG D

Direct epitaxial method of graphene by chemical vapor deposition using II-VI semiconductor zinc oxide substrate where graphene-zinc oxide composite is used for piezoelectric device comprises pre-processing substrate and growing graphene.

ZHANG J, HAN D, NING J, HAO Y, CHAI Z, WANG D, YAN Y