国家/地区 |
美国(27)![]() |
IPC部 |
C(27)![]() |
IPC大类 |
C01(27)
B82(25)
H01(14)
B01(9) B32(9) C09(4) B05(3) C07(2) C22(2) C23(2) F16(2) H05(2) |
IPC小类 |
C01B(27)![]() |
IPC |
C01B031/00(27)![]() |
发明人 | HIROHASHI T(2) |
公开年 |
2012(27)![]() |
申请年 | 2011(13) 2012(12) 2010(2) |
专利权人 | KOREA INST S.(2) SAMSUNG ELEC.(2) SEMICONDUCTO.(2) |
CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T
HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T
ALCAZAR J D, THOMAS E L, ALCAZAR JORBA D
RAMAPRABHU S, KANIYOOR A, BABY T T
CARVALHO A L M D, ZURBA N K, MOREIRA DE CARVALHO A L, MOREIRA D C A L
CHOI W K, PARK D H, KWON B W, SON D I, CHOI W
JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y
NISHI N, MIZUUCHI K, ADACHI N, OOBA Y