国家/地区 韩国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C23（3）
IPC小类 C23C（3）
IPC C25B011/04（3）
发明人 KIM T S（2） SEOK H H（2） WOO K H（2）
公开年 2021（3）
申请年
专利权人 UNIV SUNGKYU.（2）

Producing octahedral transition metal dichalcogenides involves forming transition metal layer on substrate and injecting chalcogenide-containing gas onto the substrate together with plasma treatment.

VINIT K, KIM H U, LEE J, SEOK H, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H, CANADEVINIT

Manufacturing transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction electrode comprises transferring graphene to electrode, depositing transition metal layer on graphene-transferred electrode and injecting plasma-treated sulfur gas.

KIM T S, SEOK H H, LEE I, WOO K H

Manufacturing electrode for reducing carbon dioxide comprises electrodepositing nickel on carbon material in electrolyte solution containing nickel precursor and immersing nickel electrodeposited carbon material in electrolyte solution.

SEO M, GI M, LEE M J, KIM J Y, KIM J, AHN S, KIM S Y