国家/地区 日本（3） 韩国（3） 美国（3） 中国（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C01（3） C23（2）
H01（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/02（3） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
C01B031/04（2） C23C016/26（2）
发明人 CHUNG H（3）
公开年 2011（3）
申请年 2010（3）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

Method of transferring larger-sized graphene used in electric circuit, involves removing adhesive and protection layers from graphene layer respectively.

BAE S, CHUNG H, HEO J, JUNG M, KANG S, SEO D, SEO S, WOO Y, BAE S K, CHUNG H J, HEO J S, JUNG M H, KANG S R, SEO S A, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, HUH J, JUNG H

Fabricating graphene to fabricate FET, comprises forming alloy catalyst layer on substrate using sputtering method and/or evaporation method, and forming graphene layer on alloy catalyst layer by supplying hydrocarbon gas onto substrate.

WOO Y, SEO D, SEO S, CHUNG H, KANG S, HEO J, SEO S A, CHUNG H J, KANG S R, HEO J S, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, XU D, HUH J, JUNG H

Graphene device e.g. graphene-based inverter has electrodes and graphene channel which are formed on upper oxide layer formed on embedded gate.

HEO J S, SEO S, KIM D, WOO Y, CHUNG H, JEONG H J, KIM T C, SEO S A, U Y S, CHUNG H J, KIM D C, WOO Y S, HEO J