国家/地区 韩国（30）
IPC部 C（30）
IPC大类 C01（30） B82（22） H01（18）
B32（11） C23（9） C07（6）
B01（5） B05（3） C08（3）
C09（3） C30（3） B41（2）
B44（2） C25（2） D01（2）
IPC小类 C01B（30）
IPC C01B031/02（27） B82Y030/00（19） B82Y040/00（18）
C01B031/04（16） H01B001/04（9） B82B003/00（6）
B82B001/00（5） C23C016/26（5） H01L029/786（4）
B32B009/04（3） B82Y099/00（3） C01B031/00（3）
C01B032/182（3） C01B032/194（3） H01L029/66（3）
发明人 HONG B H（3） KIM H K（3） KIM K B（3）
LEE J H（3） LEE S H（3） AHN J（2）
BEOM K G（2） CHO S（2） CHO S H（2）
CHOI J（2） CHOI J Y（2） HWANG J（2）
JO H I（2） KIM J K（2） KIM K S（2）
公开年 2011（30）
申请年 2011（30）
专利权人 UNIV SUNGKYU.（5） SAMSUNG ELEC.（4） KOREA INST S.（3） SAMSUNG TECH.（3）
UNIV YONSEI .（3） HANWHA TECHW.（2） UNIST ACADIN.（2） UNIV MANCHES.（2）
UNIV SINGAPO.（2） UNIV SINGAPO.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Manufacture of graphene involves using face centered cubic metal catalyst with single oriented texture.

CHA S W, HONG B H, HONG S Y, JUNG M H, KIM K E, KIM K H, MAENG K S, PARK C W, PARK S B

Manufacturing method of graphene transfer film involves applying air pressure to at least one of graphene growth film and carrier film so that graphene and carrier film are attached to each other.

CHO S, SONG Y, CHO S H, SONG Y I

Forming graphene used in e.g. bioanalytics involves providing graphite sample having atomic layers of carbon; introducing solvent and ions into spaces between the atomic layers; expanding space; and separating the layers using driving force.

LOH K P, WANG J, JUNZHONG B, LOH K, LUO J, ZUNZHONG W

Method for transferring graphene from graphene forming structure onto desired object e.g. circuit substrate, involves separating oxide layer from metal catalyst layer and removing metal catalyst layer by using etching solution.

CHO S, WON D, CHO S H, WON D K

Graphene composition, useful in electrical device, preferably e.g. sensor, bipolar junction transistor, field effect transistor and light emitting diode, comprises a graphene monolayer and an alkali metal disposed on the graphene monolayer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, JEON C, AHN J R, CHOI J Y, JEON C H, SHIN H J

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S

Graphene oxide reducing agent, is halogen element.

LEE H Y, LEE J H, MOON I K

New functionalized graphene compound comprising graphene and fluorine having specific fluorine to carbon ratio used as structural material, electronic component, optical component, magnetic component or coating.

GEIM A, RAVEENDRANNAIR R, NOVOSELOV K, RAEBINDEURAN N R, RAVEENDRAN N R

Manufacture of reduced graphene oxide for manufacturing reduced graphene-polymer composite, involves treating graphite with strong acid, mixing with halogen-substituted aromatic compound and stirring.

KU B C, PARK O K, LEE S H, NA S I, JO H I, KIM J K, LEE J H, KU B, PARK O

Forming graphene nano ribbon used in display device involves depositing graphene sheet on surface of substrate, forming plasma mask with nano pattern on sheet, and forming nano pattern in sheet by plasma treating stack structure having mask.

SHIN H, CHOI J, LEE Y, HAN G, CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J