国家/地区 |
美国(9)![]() |
IPC部 |
C(9)![]() |
IPC大类 |
C07(9)![]() |
IPC小类 |
H01M(9)
C01B(7)
C07C(4)
B82Y(3) C07D(3) C07F(2) H01G(2) |
IPC |
H01M004/587(9)![]() |
发明人 | |
公开年 | 2013(2) 2015(2) 2021(2) |
申请年 | 2012(3) |
专利权人 | KOREA INST E.(2) SEMICONDUCTO.(2) |
KIM D H, PARK S, YEON S, SHIN K, JIN C, HWANG S H, SEUNGHAE H, JIN C S, HEE S K
YEH T, YANG C, CHEN C, LAI G, YE D, CHEN Z, LAI G L, CHEN C C, YANG C R, YEH T J
GI B, KIM H W, HAN S O, YOO J J, KIM T W, HUN S, JATINDER S, LEE H J, BYUN S, KIM H, YOO J, KIM T, SEONG Y, SINGH J
DRYFE R A W, KINLOCH I A, ABDELKADER A M, JEFF R A W, DRYFE R A V
ZHANG Y, CAIRNS E J, JI L, RAO M, CAIRNS E
NOMOTO K, INOUE N, YUKAWA M, IKENUMA T, YUGAWA M