国家/地区 中国（5） 欧洲专利局（EPO）（5） 日本（5） 韩国（5） 台湾（5） 美国（5） 世界知识产权组织（5） 印度（4） 以色列（3） 俄罗斯（3） 新加坡（3）
IPC部 B（5）
IPC大类 C01（5）
IPC小类 C01B（5）
IPC C01B031/04（5）
发明人 MUELLEN K（5）
公开年 2013（3） 2015（2）
申请年 2012（2）  2013（2） 
专利权人 BASF CHINA C.（5） BASF SE（5） MAX PLANCK G.（5） BASF AG（3）
EMPA EIDGENO.（2）

Graphene nanoribbon comprises repeating unit comprising edge carbons which can unambiguously be assigned as zigzag or cove type carbon atoms.

SCHWAB M G, MUELLEN K, FENG X, YANG B, DUMSLAFF T, FASEL R, RUFFIEUX P, LIU J, CAI J, SANCHEZSANCHEZ C, MULLEN K, SANCHEZ S C, TSAI J, MILLEN K

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Graphene nanoribbon used for e.g. spintronic device, contains repeating unit having modification(s) chosen from heteroatomic substitution, vacancy, stone-wales defect, inverse stone-wales defect, and hybridized carbon network.

FASEL R, RUFFIEUX P, MUELLEN K, CAI J, FENG X, BERGER R, TSAI J, CAI Y, MULLEN K, MILLEN K

New oligophenylene monomer useful for preparing a polymeric precursor for producing graphene nanoribbons useful in an electronic, optical, or optoelectronic device.

SCHWAB M G, NARITA A, FENG X, MUELLEN K, MULLEN K, SCHWAB M G S, SCHVAB M G, MILLEN K

New graphene nanoribbon precursors comprising polycyclic aromatic hydrocarbon repeat units, used in graphene nanoribbons for field-effect transistors.

SCHWAB M G S, MUELLEN K, FENG X, DOESSEL L, SCHWAB M G, MULLEN K, DOSSEL L, SCHVAB M G