国家/地区 美国（3） 中国（2） 日本（2） 韩国（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C23（3）
IPC小类 C23C（3） B82Y（2） C01B（2）
H01L（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B031/02（2）
C01B031/04（2） C23C016/26（2）
发明人 JUNG H（3）
公开年 2011（2）
申请年 2010（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

Semiconductor device comprises conductive contact set in first insulation layer, and second insulation layer set on first insulation layer and including contact hole that exposes top surface of conductive contact.

JUNG H, LEE J, PARK J

Method of transferring larger-sized graphene used in electric circuit, involves removing adhesive and protection layers from graphene layer respectively.

BAE S, CHUNG H, HEO J, JUNG M, KANG S, SEO D, SEO S, WOO Y, BAE S K, CHUNG H J, HEO J S, JUNG M H, KANG S R, SEO S A, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, HUH J, JUNG H

Fabricating graphene to fabricate FET, comprises forming alloy catalyst layer on substrate using sputtering method and/or evaporation method, and forming graphene layer on alloy catalyst layer by supplying hydrocarbon gas onto substrate.

WOO Y, SEO D, SEO S, CHUNG H, KANG S, HEO J, SEO S A, CHUNG H J, KANG S R, HEO J S, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, XU D, HUH J, JUNG H