国家/地区 中国（2） 美国（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C23（3）
IPC小类 C23C（3） C01B（2） G03F（2）
H01L（2）
IPC C23C014/16（3）
发明人 CHEN C（2） TU C（2）
公开年 2018（2）
申请年 2016（3）
专利权人 TAIWAN SEMIC.（2）

Method of making a pellicle for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography system, by depositing graphene layer over first material layer, and depositing amorphous silicon layer over graphene layer.

TU C, CHEN C, YOO C S, CHANG J, TSAI C, LIU P, LEE H, LIN C, LIN Y, TU Z, CHEN J, CAI J, YOU Q, ZHANG Z, LIN Z, LIU B, LI X, YOO C

Graphene pellicle method for extreme ultraviolet lithography, involves attaching carrier to graphene layer, removing substrate from first assembly, and removing first material layer from first assembly.

TU C, CHEN C

Imaging production of one-dimensional carbon nanotube and three-dimensional graphene composite material by patterning growth substrate, soaking in hydrofluoric acid solution, ultrasonically processing and magnetic control sputtering.

YU Y, HU Y, SUN T, YANG J, WEI D, SHI H, DU C