国家/地区 中国（3） 美国（3） 欧洲专利局（EPO）（2） 韩国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B032/194（3）
发明人
公开年
申请年 2016（3）
专利权人

Method of making a pellicle for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography system, by depositing graphene layer over first material layer, and depositing amorphous silicon layer over graphene layer.

TU C, CHEN C, YOO C S, CHANG J, TSAI C, LIU P, LEE H, LIN C, LIN Y, TU Z, CHEN J, CAI J, YOU Q, ZHANG Z, LIN Z, LIU B, LI X, YOO C

Manufacturing method of semiconductor device, by forming graphene layer on first substrate, transferring graphene layer from first substrate to second substrate, and forming single-crystalline film on graphene layer.

KIM J

Doping method of graphene for manufacturing graphene composite electrode and graphene structure, involves forming precursor polymer layer for doping on substrate, and positioning graphene on substrate.

MOON J, PARK W, PARK S, JO I, HONG B, SAN MOON J, SU C I, BAE P W, BEOM P S, HUI H B, ZHENSHAN W, WONBAE P, SUBEOM P, INSU J, BYUNGHEE H