国家/地区 台湾（3）
IPC部 C（3） H（3）
IPC大类 C01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C23C016/26（3） C01B032/186（2） C23C016/04（2）
C23C016/34（2） C23C016/56（2） H01L021/02（2）
H01L021/768（2）
发明人
公开年 2021（3）
申请年 2021（3）
专利权人

Semiconductor device e.g. monolithic three-dimensional integrated circuit, has microelectronic components embedded in single crystalline dielectric material, where material contains carbon with diamond structure or hexagonal boron nitride.

CLARK R D, CLARK R

Forming layer, comprises e.g. exposing substrate to aromatic precursor in processing chamber, rinsing aromatic precursor from processing chamber, and heating substrate deposit graphene hard mask layer on substrate.

BHUYAN B J, LEONCINI A

Encapsulating graphene in semiconductor substrate, comprises selectively depositing graphene on metal layer, depositing metal oxide over graphene by thermal-based deposition technique, and depositing hermetic barrier over metal oxide.

VARADARAJAN B N, NARKEVICIUTE I, SHARMA K