国家/地区 韩国（25） 美国（23） 世界知识产权组织（17） 中国（14） 日本（14） 欧洲专利局（EPO）（11） 印度（4） 墨西哥（4） 俄罗斯（4） 西班牙（3） 巴西（2） 法国（2） 香港（2） 新加坡（2） 台湾（2）
IPC部 B（35）
IPC大类 B82（35） C01（35） H01（19）
B32（11） C23（7） C08（6）
C07（5） B01（3） B05（3）
C03（3） C30（3） B41（2）
B44（2） C09（2） G01（2）
IPC小类 B82B（35）
IPC C01B031/02（35）
发明人 AHN J（2） BEGIN D（2） BERNHARDT P（2）
CHIZARI K（2） CHOI J（2） CHOI J Y（2）
CHUNG H（2） CHUNG H J（2） ERSEN O（2）
HEO J（2） HEO J S（2） HWANG J（2）
JANOWSKA I（2） KIM H（2） KIM H K（2）
公开年 2011（35）
申请年 2010（16）  2011（10）  2009（9） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（5） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） CENT NAT REC.（2）
GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2） KOREA INST S.（2）
UNIV STRASBO.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Cross-type graphene hetero-junction structure is formed by attaching primary graphene on substrate, coating polymethyl methacrylate to graphene, baking, separating polymethyl methacrylate layer, and aligning layer on secondary graphene.

LEE S W, KIM J S

Manufacturing method of graphene transfer film involves applying air pressure to at least one of graphene growth film and carrier film so that graphene and carrier film are attached to each other.

CHO S, SONG Y, CHO S H, SONG Y I

Graphene composition, useful in electrical device, preferably e.g. sensor, bipolar junction transistor, field effect transistor and light emitting diode, comprises a graphene monolayer and an alkali metal disposed on the graphene monolayer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, JEON C, AHN J R, CHOI J Y, JEON C H, SHIN H J

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S

Forming graphene nano ribbon used in display device involves depositing graphene sheet on surface of substrate, forming plasma mask with nano pattern on sheet, and forming nano pattern in sheet by plasma treating stack structure having mask.

SHIN H, CHOI J, LEE Y, HAN G, CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Composition, useful in e.g. high speed transistors, electronic devices, sensors, solar cells, optoelectronic devices, logic devices, ultra capacitors, and actuators, comprises unaffixed graphene particulates.

BERRY V, MOHANTY N, MOORE D S

Article e.g. photodetector, comprises graphene layer having work function and metal oxide film having work function greater than work function of graphene layer, formed on graphene layer.

CHEN W, CHEN Z, WEE T S A, XIE L, WANG X, SUN J, ARIANDO, HWANG J, CHEN V, CHEN ZH, WEE T SH A, SUN Y

Electrostatic production of graphene from graphite by initial charging of graphite crystal to several million volts.

KOGAN A Y

Method for manufacturing of graphene nano-sheet, involves pre-processing graphite in graphite nano-sheet, oxidizing graphite nano-sheet, and removing oxygen functional group from oxidized graphite nano-sheet surface.

SOO J P, LONG Y M

Graphene nano sheet forming method, involves preparing graphite oxide from graphite material, mixing predetermined carbon additive material with graphite material, and mixing graphite oxide and carbon material additive in microwave oven.

KWANG B K, SANG H P, SEONG M B, JONG P J, KWANG H K