国家/地区 日本（4）
IPC部 B（4）
IPC大类 B82（4） C01（3） H01（3）
C09（2）
IPC小类 B82B（4）
IPC B82B003/00（4） B82Y030/00（3） B82Y040/00（3）
B82B001/00（2） B82Y099/00（2） C01B031/00（2）
C01B031/02（2） C01B031/04（2） C01B032/186（2）
H01L021/02（2） H01L021/336（2） H01L029/06（2）
H01L029/16（2） H01L029/786（2）
发明人
公开年 2012（4）
申请年 2012（4）
专利权人

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Semiconductor sealing material composition used as packaging material to protect electronic part e.g. diode comprises epoxy resin; hardener; curing catalyst; additive such as coupling agent; and nano-graphene plate powder as filler.

CHOI S, PARK S, CHOI S H, PARK S H, HONG C S, HUI P S

Graphene heterostructure used for electronic components used in electronic circuits, and for electronic devices, consists of graphene layer positioned between two encapsulation layers.

GEIM A K, NOVOSOLEV K S, GORBACHEV R V, PONOMARENKO L A, GEIM A, NOVOSELOV K, GORBACHEV R, PONOMARENKO L, NOVOSELOV K S

Synthesizing graphene comprises refluxing reaction mixture of solvent e.g. water and carbonaceous material promoting polycyclic aromatic hydrocarbon formation, collecting and directing obtained vapors to substrate and recovering graphene.

SHANKMAN R S, HANKMAN R S